| Número da peça do fabricante | GT60N321(Q) |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria de Produto | Transistores - IGBTs - Único |
| Quantidade disponível | 21680 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | GT60N321(Q).pdf |
| Número da peça | GT60N321(Q) |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo IGBT | - |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 1000V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
| Corrente - Coletor pulsado (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
| Power - Max | 170W |
| Mudança de energia | - |
| Tipo de entrada | Standard |
| Carga do portão | - |
| Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 330ns/700ns |
| Condição de teste | - |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | 2.5µs |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-3PL |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-3P(LH) |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | GT60N321(Q) |
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