Toshiba Semiconductor and Storage Distributore www.qycomp.com GT60N321(Q)
Numero di parte del produttoreGT60N321(Q)
fabbricanteToshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Singoli
Quantità disponibile21680 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneIGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati GT60N321(Q).pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte GT60N321(Q)
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 60A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A
Potenza - Max 170W
Cambiare energia -
Tipo di input Standard
Carica del cancello -
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 330ns/700ns
Condizione di test -
Tempo di recupero inverso (trr) 2.5µs
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-3PL
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P(LH)
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio GT60N321(Q)

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Toshiba Semiconductor and Storage Distributore

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