Numero di parte del produttore | GT60N321(Q) |
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fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Singoli |
Quantità disponibile | 21680 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | GT60N321(Q).pdf |
Numero di parte | GT60N321(Q) |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
Potenza - Max | 170W |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | - |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 330ns/700ns |
Condizione di test | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3PL |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P(LH) |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | GT60N321(Q) |
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