| Référence fabricant | GT60N321(Q) |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| catégorie de produit | Transistors - IGBT - Simples |
| quantité disponible | 21680 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | GT60N321(Q).pdf |
| Numéro d'article | GT60N321(Q) |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Obsolete |
| Type d'IGBT | - |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1000V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 60A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
| Puissance - Max | 170W |
| Échange d'énergie | - |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | - |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 330ns/700ns |
| Condition de test | - |
| Temps de récupération inverse (trr) | 2.5µs |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-3PL |
| Package de périphérique fournisseur | TO-3P(LH) |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | GT60N321(Q) |
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