| Número de pieza del fabricante | GT60N321(Q) |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| categoria de producto | Transistores - IGBT - Simple |
| Cantidad disponible | 21680 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | GT60N321(Q).pdf |
| Número de pieza | GT60N321(Q) |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de IGBT | - |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 1000V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
| Potencia - Max | 170W |
| Conmutación de energía | - |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | - |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 330ns/700ns |
| Condición de prueba | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 2.5µs |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-3PL |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-3P(LH) |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | GT60N321(Q) |
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