Número da peça do fabricante | A2G35S200-01SR3 |
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Fabricante | NXP USA Inc. |
Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - RF |
Quantidade disponível | 95660 Pieces |
Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
Descrição | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | A2G35S200-01SR3.pdf |
Número da peça | A2G35S200-01SR3 |
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Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
Condição | New & Unused, Original Sealed |
Status da Parte | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Freqüência | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
Ganho | 16.1dB |
Tensão - teste | 48V |
Classificação atual | - |
Figura de ruído | - |
Teste atual | 291mA |
Potência | 180W |
Voltagem - Rated | 125V |
Pacote / Caso | NI-400S-2S |
Pacote de dispositivos de fornecedores | NI-400S-2S |
Peso | 0.001 KG |
Aplicação | Email for details |
Peça de reposição | A2G35S200-01SR3 |
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