Hersteller-Teilenummer | A2G35S200-01SR3 |
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Hersteller | NXP USA Inc. |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - HF |
verfügbare Anzahl | 95660 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | A2G35S200-01SR3.pdf |
Artikelnummer | A2G35S200-01SR3 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | LDMOS |
Frequenz | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
Gewinnen | 16.1dB |
Spannung - Test | 48V |
Aktuelle Bewertung | - |
Rauschzahl | - |
Aktueller Test | 291mA |
Leistung | 180W |
Spannung - Bewertet | 125V |
Paket / Fall | NI-400S-2S |
Lieferantengerätepaket | NI-400S-2S |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | A2G35S200-01SR3 |
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