| 製造業者識別番号 | A2G35S200-01SR3 |
|---|---|
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 利用可能な数量 | 95660 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | A2G35S200-01SR3.pdf |
| 部品番号 | A2G35S200-01SR3 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| トランジスタタイプ | LDMOS |
| 周波数 | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| 利得 | 16.1dB |
| 電圧 - テスト | 48V |
| 電流定格 | - |
| ノイズフィギュア | - |
| 電流 - テスト | 291mA |
| 電力出力 | 180W |
| 電圧 - 定格 | 125V |
| パッケージ/ケース | NI-400S-2S |
| サプライヤデバイスパッケージ | NI-400S-2S |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | A2G35S200-01SR3 |
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