Référence fabricant | A2G35S200-01SR3 |
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Fabricant | NXP USA Inc. |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - RF |
quantité disponible | 95660 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | A2G35S200-01SR3.pdf |
Numéro d'article | A2G35S200-01SR3 |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
Gain | 16.1dB |
Tension - Test | 48V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Actuel - Test | 291mA |
Puissance - Sortie | 180W |
Tension - Rated | 125V |
Paquet / cas | NI-400S-2S |
Package de périphérique fournisseur | NI-400S-2S |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | A2G35S200-01SR3 |
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