製造業者識別番号 | HN3C10FUTE85LF |
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メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
製品カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ(BJT) - RF |
利用可能な数量 | 23510 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | TRANSISTOR NPN US6 |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | HN3C10FUTE85LF.pdf |
部品番号 | HN3C10FUTE85LF |
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メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Active |
トランジスタタイプ | 2 NPN (Dual) |
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) | 12V |
周波数 - 遷移 | 7GHz |
ノイズ・フィギュア(dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
利得 | 11.5dB |
電力 - 最大 | 200mW |
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce | 80 @ 20mA, 10V |
電流 - コレクタ(Ic)(最大) | 80mA |
動作温度 | - |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
サプライヤデバイスパッケージ | US6 |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | HN3C10FUTE85LF |
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