| Número de pieza del fabricante | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| categoria de producto | Transistores - Bipolar (BJT) - RF |
| Cantidad disponible | 23510 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | TRANSISTOR NPN US6 |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | HN3C10FUTE85LF.pdf |
| Número de pieza | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 12V |
| Frecuencia - Transición | 7GHz |
| Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Ganancia | 11.5dB |
| Potencia - Max | 200mW |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | US6 |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | HN3C10FUTE85LF |
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