| Hersteller-Teilenummer | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistoren - Bipolar (BJT) - HF |
| verfügbare Anzahl | 23510 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | TRANSISTOR NPN US6 |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | HN3C10FUTE85LF.pdf |
| Artikelnummer | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | 2 NPN (Dual) |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 7GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Gewinnen | 11.5dB |
| Leistung max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 80mA |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | US6 |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | HN3C10FUTE85LF |
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