| Référence fabricant | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| catégorie de produit | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF |
| quantité disponible | 23510 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | TRANSISTOR NPN US6 |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | HN3C10FUTE85LF.pdf |
| Numéro d'article | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | 2 NPN (Dual) |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 12V |
| Fréquence - Transition | 7GHz |
| Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Gain | 11.5dB |
| Puissance - Max | 200mW |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80mA |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Package de périphérique fournisseur | US6 |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | HN3C10FUTE85LF |
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