EPC Distributeur www.qycomp.com EPC2106ENGRT
Référence fabricantEPC2106ENGRT
FabricantEPC
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible92840 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionTRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article EPC2106ENGRT
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 600µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.73nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 50V
Puissance - Max -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas Die
Package de périphérique fournisseur Die
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange EPC2106ENGRT

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