EPC Distributeur www.qycomp.com EPC2107
Référence fabricantEPC2107
FabricantEPC
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible32320 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 3 N-CH 100V 9BGA
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique EPC2107.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article EPC2107
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET Caractéristique GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Puissance - Max -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 9-VFBGA
Package de périphérique fournisseur 9-BGA (1.35x1.35)
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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