EPC Distributore www.qycomp.com EPC2106ENGRT
Numero di parte del produttoreEPC2106ENGRT
fabbricanteEPC
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Quantità disponibile92840 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneTRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati EPC2106ENGRT.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte EPC2106ENGRT
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.73nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 50V
Potenza - Max -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso Die
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio EPC2106ENGRT

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