Hersteller-Teilenummer | EPC2106ENGRT |
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Hersteller | EPC |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
verfügbare Anzahl | 92840 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | EPC2106ENGRT.pdf |
Artikelnummer | EPC2106ENGRT |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Eigenschaft | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.7A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 2A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 50V |
Leistung max | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | Die |
Lieferantengerätepaket | Die |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | EPC2106ENGRT |
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