ON Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com HGTD1N120BNS9A
Número da peça do fabricanteHGTD1N120BNS9A
FabricanteON Semiconductor
Categoria de ProdutoTransistores - IGBTs - Único
Quantidade disponível131630 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoIGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados HGTD1N120BNS9A.pdf

Atributos do produto

Número da peça HGTD1N120BNS9A
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Active
Tipo IGBT NPT
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 5.3A
Corrente - Coletor pulsado (Icm) 6A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
Power - Max 60W
Mudança de energia 70µJ (on), 90µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Carga do portão 14nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C 15ns/67ns
Condição de teste 960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Tempo de recuperação inversa (TRR) -
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-252AA
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição HGTD1N120BNS9A

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