ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com HGTD1N120BNS9A
Référence fabricantHGTD1N120BNS9A
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
quantité disponible131630 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article HGTD1N120BNS9A
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 5.3A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 6A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
Puissance - Max 60W
Échange d'énergie 70µJ (on), 90µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 14nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 15ns/67ns
Condition de test 960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur TO-252AA
Poids 0.001 KG
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