ON Semiconductor 配給業者 www.qycomp.com HGTD1N120BNS9A
製造業者識別番号HGTD1N120BNS9A
メーカーON Semiconductor
製品カテゴリトランジスタ - IGBT - シングル
利用可能な数量131630 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード HGTD1N120BNS9A.pdf

製品の属性

部品番号 HGTD1N120BNS9A
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
IGBTタイプ NPT
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 5.3A
電流 - コレクタパルス(Icm) 6A
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2.9V @ 15V, 1A
電力 - 最大 60W
スイッチングエネルギー 70µJ (on), 90µJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 14nC
Td(オン/オフ)@ 25℃ 15ns/67ns
テスト条件 960V, 1A, 82 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) -
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 HGTD1N120BNS9A

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