| Référence fabricant | 2SA965-O(TE6,F,M) |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| catégorie de produit | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples |
| quantité disponible | 97030 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | 2SA965-O(TE6,F,M).pdf |
| Numéro d'article | 2SA965-O(TE6,F,M) |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de transistor | PNP |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 800mA |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 120V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| Puissance - Max | 900mW |
| Fréquence - Transition | 120MHz |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Package de périphérique fournisseur | LSTM |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | 2SA965-O(TE6,F,M) |
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