| Número de pieza del fabricante | 2SA965-O(TE6,F,M) |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| categoria de producto | Transistores - Bipolar (BJT) - Simple |
| Cantidad disponible | 97030 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | 2SA965-O(TE6,F,M).pdf |
| Número de pieza | 2SA965-O(TE6,F,M) |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de transistor | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 120V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 100nA (ICBO) |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| Potencia - Max | 900mW |
| Frecuencia - Transición | 120MHz |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Paquete de dispositivo del proveedor | LSTM |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | 2SA965-O(TE6,F,M) |
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