Référence fabricant | 2SA965-Y,F(J |
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Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
catégorie de produit | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples |
quantité disponible | 470275 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | 2SA965-Y,F(J.pdf |
Numéro d'article | 2SA965-Y,F(J |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 800mA |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
Puissance - Max | 900mW |
Fréquence - Transition | 120MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Package de périphérique fournisseur | LSTM |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | 2SA965-Y,F(J |
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