| Número da peça do fabricante | SIZ998DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Quantidade disponível | 156440 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | SIZ998DT-T1-GE3.pdf |
| Número da peça | SIZ998DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET Feature | Standard |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V |
| Power - Max | 20.2W, 32.9W |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 8-PowerWDFN |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-PowerPair® |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | SIZ998DT-T1-GE3 |
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