| 製造業者識別番号 | SIZ998DT-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| 利用可能な数量 | 156440 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SIZ998DT-T1-GE3.pdf |
| 部品番号 | SIZ998DT-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | 20.2W, 32.9W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair® |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SIZ998DT-T1-GE3 |
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