Número da peça do fabricante | NESG7030M04-A |
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Fabricante | CEL |
Categoria de Produto | Transistores - Bipolar (BJT) - RF |
Quantidade disponível | 58750 Pieces |
Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
Descrição | DISCRETE RF DIODE |
Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | NESG7030M04-A.pdf |
Número da peça | NESG7030M04-A |
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Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
Condição | New & Unused, Original Sealed |
Status da Parte | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 4.3V |
Frequência - Transição | 5.8GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz |
Ganho | 14dB ~ 21dB |
Power - Max | 125mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 5mA, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | SOT-343F |
Pacote de dispositivos de fornecedores | M04 |
Peso | 0.001 KG |
Aplicação | Email for details |
Peça de reposição | NESG7030M04-A |
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