Référence fabricant | NESG7030M04-A |
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Fabricant | CEL |
catégorie de produit | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF |
quantité disponible | 58750 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | DISCRETE RF DIODE |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | NESG7030M04-A.pdf |
Numéro d'article | NESG7030M04-A |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 4.3V |
Fréquence - Transition | 5.8GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz |
Gain | 14dB ~ 21dB |
Puissance - Max | 125mW |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 5mA, 2V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | SOT-343F |
Package de périphérique fournisseur | M04 |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | NESG7030M04-A |
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