Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor www.qycomp.com GT10J312(Q)
Número da peça do fabricanteGT10J312(Q)
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
Categoria de ProdutoTransistores - IGBTs - Único
Quantidade disponível161030 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoIGBT 600V 10A 60W TO220SM
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados GT10J312(Q).pdf

Atributos do produto

Número da peça GT10J312(Q)
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Obsolete
Tipo IGBT -
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Corrente - Coletor pulsado (Icm) 20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Power - Max 60W
Mudança de energia -
Tipo de entrada Standard
Carga do portão -
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C 400ns/400ns
Condição de teste 300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Tempo de recuperação inversa (TRR) 200ns
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220SM
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição GT10J312(Q)

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Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor

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