| Hersteller-Teilenummer | GT10J312(Q) |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistoren - IGBTs - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 161030 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | GT10J312(Q).pdf |
| Artikelnummer | GT10J312(Q) |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Obsolete |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 10A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 20A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Leistung max | 60W |
| Energie wechseln | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 400ns/400ns |
| Testbedingung | 300V, 10A, 100 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 200ns |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220SM |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | GT10J312(Q) |
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