| 제조업체 부품 번호 | SI4900DY-T1-E3 |
|---|---|
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 제품 카테고리 | 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 |
| 사용 가능한 수량 | 82650 Pieces |
| 단가 | 이메일로 견적 ([email protected]) |
| 기술 | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 생산 상태 (수명주기) | In Production |
| 배달 시간 | 1-2 Days |
| 날짜 코드 (D / C) | New |
| 데이터 시트 다운로드 | SI4900DY-T1-E3.pdf |
| 부품 번호 | SI4900DY-T1-E3 |
|---|---|
| 제조업체 리드 타임 | 6-8 weeks |
| 조건 | New & Unused, Original Sealed |
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.3A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 665pF @ 15V |
| 전력 - 최대 | 3.1W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급 업체 장치 패키지 | 8-SO |
| 무게 | 0.001 KG |
| 신청 | Email for details |
| 교체 부품 | SI4900DY-T1-E3 |
QY 구성 요소가 가장 좋은 가격입니다. SI4900DY-T1-E3, 우리는 오직 정품 부품만을 판매합니다.
구매하려는 경우 SI4900DY-T1-E3, 견적을 요청하거나 이메일을 보내 주시면 12 시간 이내에 견적을 보내 드리겠습니다. 견적을 제출하면 SI4900DY-T1-E3, 우리는 당신에게 송장을 보내고 모든 국가에 당신에게 발송합니다.
우리의 이메일: [email protected]
QY 구성 요소는 Vishay Siliconix 모든 시리즈 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 구성 요소. 당신은 또한 다른 부분을 살 수 있습니다 Vishay Siliconix 과 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 우리로부터. 예 : VJ1206Y821JXXCW1BC, K102K10C0GF53H5, K102K10C0GF53L2, K102K10C0GF5TH5, K102K10C0GF5TL2, K102K10C0GF5UH5, K102K10C0GF5UL2, S152K33Y5PN63J5R, S152K33Y5PN63K5R, D102K25X7RF6UJ5R FDS4897C, AOD609, FDS9945, AO4813, IRF7303TRPBF, FDMA1024NZ, DMC4040SSD-13, SI4936BDY-T1-E3, FDS6982AS, IRF9362TRPBF.
사다 Vishay Siliconix SI4900DY-T1-E3 우리와 함께 시간과 돈을 아끼십시오.