Vishay Siliconix Distribuidor www.qycomp.com SI4900DY-T1-E3
Número de pieza del fabricanteSI4900DY-T1-E3
FabricanteVishay Siliconix
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Arreglos
Cantidad disponible82650 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos SI4900DY-T1-E3.pdf

Atributos del producto

Número de pieza SI4900DY-T1-E3
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 665pF @ 15V
Potencia - Max 3.1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO
Peso 0.001 KG
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Repuesto SI4900DY-T1-E3

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