Dispositivi a semiconduttore discreti

Parte n. fabbricante Descrizione Serie Caso del pacchetto
EPC2100 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID eGaN® Die
EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V eGaN® Die
EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE eGaN® Die
EPC2106 EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE eGaN® Die
EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE eGaN® Die
EPC2110ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE eGaN® Die
EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE eGaN® 9-VFBGA
EPC2108 EPC MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA eGaN® 9-VFBGA
EPC2107 EPC MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA eGaN® 9-VFBGA
EPC2111 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID - Die
EPC2111ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID - Die
EPC2100ENGRT EPC MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE eGaN® Die
EPC2102 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG eGaN® Die
EPC2102ENGRT EPC MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE eGaN® Die
EPC2101 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID eGaN® Die
EPC2101ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID eGaN® Die
EPC2103 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG eGaN® Die
EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID eGaN® Die
EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE eGaN® Die
EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG eGaN® Die
EPC2110 EPC MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE eGaN® Die
EPC2107ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE eGaN® 9-VFBGA
Email: [email protected]
Copyright © 2019 www.qycomp.com Tutti i diritti riservati