Numero di parte del produttore | EPC2107ENGRT |
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fabbricante | EPC |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
Quantità disponibile | 24520 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | EPC2107ENGRT.pdf |
Numero di parte | EPC2107ENGRT |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
Caratteristica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A, 500mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
Potenza - Max | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 9-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 9-BGA (1.35x1.35) |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | EPC2107ENGRT |
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