| Numero di parte del produttore | TPC8212-H(TE12LQ,M |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Quantità disponibile | 27210 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf |
| Numero di parte | TPC8212-H(TE12LQ,M |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 10V |
| Potenza - Max | 450mW |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | TPC8212-H(TE12LQ,M |
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