Hersteller-Teilenummer | TPC8212-H(TE12LQ,M |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
verfügbare Anzahl | 27210 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf |
Artikelnummer | TPC8212-H(TE12LQ,M |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 10V |
Leistung max | 450mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-SOP (5.5x6.0) |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | TPC8212-H(TE12LQ,M |
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