Numero di parte del produttore | NGTD21T65F2WP |
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fabbricante | ON Semiconductor |
Categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Singoli |
Quantità disponibile | 96550 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | NGTD21T65F2WP.pdf |
Numero di parte | NGTD21T65F2WP |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 45A |
Potenza - Max | - |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | - |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | NGTD21T65F2WP |
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