| Hersteller-Teilenummer | NGTD21T65F2WP |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistoren - IGBTs - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 96550 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | NGTD21T65F2WP.pdf |
| Artikelnummer | NGTD21T65F2WP |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 650V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | - |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 200A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 45A |
| Leistung max | - |
| Energie wechseln | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | NGTD21T65F2WP |
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