Toshiba Semiconductor and Storage Distributore www.qycomp.com MT3S113(TE85L,F)
Numero di parte del produttoreMT3S113(TE85L,F)
fabbricanteToshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodottoTransistor - Bipolari (BJT) - RF
Quantità disponibile41730 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneRF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati MT3S113(TE85L,F).pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte MT3S113(TE85L,F)
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5.3V
Frequenza - Transizione 12.5GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1.45dB @ 1GHz
Guadagno 11.8dB
Potenza - Max 800mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore S-Mini
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio MT3S113(TE85L,F)

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Toshiba Semiconductor and Storage Distributore

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