| Numero di parte del produttore | MT3S111P(TE12L,F) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria di prodotto | Transistor - Bipolari (BJT) - RF |
| Quantità disponibile | 170450 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | MT3S111P(TE12L,F).pdf |
| Numero di parte | MT3S111P(TE12L,F) |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 6V |
| Frequenza - Transizione | 8GHz |
| Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.25dB @ 1GHz |
| Guadagno | 10.5dB |
| Potenza - Max | 1W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-243AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PW-MINI |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | MT3S111P(TE12L,F) |
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