Numero di parte del produttore | MHE1003NR3 |
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fabbricante | NXP USA Inc. |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - RF |
Quantità disponibile | 149520 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | MHE1003NR3.pdf |
Numero di parte | MHE1003NR3 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Transistor Type | LDMOS |
Frequenza | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
Guadagno | 14.1dB |
Voltaggio - Test | 28V |
Valutazione attuale | 10µA |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 50mA |
Potenza - Uscita | 53dBm |
Tensione - Rated | 65V |
Pacchetto / caso | OM-780-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | OM-780-2 |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | MHE1003NR3 |
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