| Número de pieza del fabricante | MHE1003NR3 |
|---|---|
| Fabricante | NXP USA Inc. |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - RF |
| Cantidad disponible | 149520 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | MHE1003NR3.pdf |
| Número de pieza | MHE1003NR3 |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | LDMOS |
| Frecuencia | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
| Ganancia | 14.1dB |
| Voltaje - Prueba | 28V |
| Valoración actual | 10µA |
| Figura de ruido | - |
| Actual - Prueba | 50mA |
| Salida de potencia | 53dBm |
| Voltaje - Clasificación | 65V |
| Paquete / caja | OM-780-2 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | OM-780-2 |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | MHE1003NR3 |
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