| Numero di parte del produttore | HYB25D512800CE-6 |
|---|---|
| fabbricante | Qimonda |
| Categoria di prodotto | Memoria |
| Quantità disponibile | 111300 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | HYB25D512800CE-6.pdf |
| Numero di parte | HYB25D512800CE-6 |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR |
| Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
| Frequenza di clock | 166MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 2.3 V ~ 2.7 V |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 66-TSOP II |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | HYB25D512800CE-6 |
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