Référence fabricant | HYB25D512800CE-6 |
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Fabricant | Qimonda |
catégorie de produit | Mémoire |
quantité disponible | 111300 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | HYB25D512800CE-6.pdf |
Numéro d'article | HYB25D512800CE-6 |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Discontinued at Digi-Key |
Type de mémoire | Volatile |
Format de la mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Écrire un temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface de mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.3 V ~ 2.7 V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Package de périphérique fournisseur | 66-TSOP II |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | HYB25D512800CE-6 |
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