Diodes Incorporated Distributeur www.qycomp.com DMN3110LCP3-7
Référence fabricantDMN3110LCP3-7
FabricantDiodes Incorporated
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible121230 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article DMN3110LCP3-7
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69 mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.52nC @ 4.5V
Vgs (Max) 12V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.38W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur X2-DFN1006-3
Paquet / cas 3-XFDFN
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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Diodes Incorporated Distributeur

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