Diodes Incorporated Distributeur www.qycomp.com DMN3190LDW-7
Référence fabricantDMN3190LDW-7
FabricantDiodes Incorporated
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible74600 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article DMN3190LDW-7
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 87pF @ 20V
Puissance - Max 320mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SOT-363
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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