| Número de pieza del fabricante | PD20010-E |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - RF |
| Cantidad disponible | 165520 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | PD20010-E.pdf |
| Número de pieza | PD20010-E |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | LDMOS |
| Frecuencia | 2GHz |
| Ganancia | 11dB |
| Voltaje - Prueba | 13.6V |
| Valoración actual | 5A |
| Figura de ruido | - |
| Actual - Prueba | 150mA |
| Salida de potencia | 10W |
| Voltaje - Clasificación | 40V |
| Paquete / caja | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | PD20010-E |
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