Référence fabricant | PD20010-E |
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Fabricant | STMicroelectronics |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - RF |
quantité disponible | 165520 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | PD20010-E.pdf |
Numéro d'article | PD20010-E |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 2GHz |
Gain | 11dB |
Tension - Test | 13.6V |
Note actuelle | 5A |
Figure de bruit | - |
Actuel - Test | 150mA |
Puissance - Sortie | 10W |
Tension - Rated | 40V |
Paquet / cas | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Package de périphérique fournisseur | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | PD20010-E |
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