Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor www.qycomp.com TPH4R10ANL,L1Q
Número da peça do fabricanteTPH4R10ANL,L1Q
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível192830 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados TPH4R10ANL,L1Q.pdf

Atributos do produto

Número da peça TPH4R10ANL,L1Q
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 92A (Ta), 70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6.3nF @ 50V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 2.5W (Ta), 67W (Tc)
Temperatura de operação 150°C
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SOP Advance (5x5)
Pacote / Caso 8-PowerVDFN
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição TPH4R10ANL,L1Q

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Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor

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