Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com SPB12N50C3ATMA1
Número da peça do fabricanteSPB12N50C3ATMA1
FabricanteInfineon Technologies
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível117120 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados SPB12N50C3ATMA1.pdf

Atributos do produto

Número da peça SPB12N50C3ATMA1
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Last Time Buy
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 560V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 11.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 125W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO263-3-2
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição SPB12N50C3ATMA1

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