| Número da peça do fabricante | SI1011X-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Quantidade disponível | 52490 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | MOSFET P-CH 12V SC-89 |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | SI1011X-T1-GE3.pdf |
| Número da peça | SI1011X-T1-GE3 |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Last Time Buy |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 12V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 640 mOhm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 62pF @ 6V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 190mW (Ta) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | SC-89-3 |
| Pacote / Caso | SC-89, SOT-490 |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | SI1011X-T1-GE3 |
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