| Numero di parte del produttore | SI1011X-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Quantità disponibile | 52490 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V SC-89 |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | SI1011X-T1-GE3.pdf |
| Numero di parte | SI1011X-T1-GE3 |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Last Time Buy |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 640 mOhm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 62pF @ 6V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 190mW (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-3 |
| Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | SI1011X-T1-GE3 |
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